LPDDR4 DRAM: память нового поколения для портативных устройств

Компания Samsung объявила о разработке первых на рынке 8 - гигабитных чипов памяти Low Power Double Data Rate 4 ( LPDDR4 ) , которые представляют собой эволюционное развитие памяти LPDDR Mobile DRAM с небольшим энергопотреблением. Новые изделия предназначены для использования в различных портативных устройствах , в частности в высокопроизводительных смартфонах и планшетных компьютерах.

Samsung подчеркивает , что 8 - гигабитные чипы LPDDR4 обеспечивают самые высокие в отрасли показатели плотности хранения информации , энергетической эффективности и скорости передачи данных. Так , по сравнению с наиболее быстродействующими на сегодня решениями LPDDR3 и DDR3 пропускная способность подросла на 50 %. В то же время при напряжении питания в 1,1 В расход энергии уменьшилась на 40 % , что означает увеличенное время автономной работы гаджетов от аккумуляторной батареи.

Чипы LPDDR4 изготавливаются по технологии «20 - нанометрового класса». На деле это означает производственные нормы от 20 до 30 нанометров. Микросхемы используют интерфейс LVSTL ( Low Voltage Swing Terminated Logic ) заявленная скорость передачи информации достигает 3200 Мбит / сек на вывод , что вдвое больше , чем в памяти предыдущего поколения.

Объединяя четыре 8- гигабитных чипа LPDDR4 , можно создавать модули оперативной памяти емкостью 4 Гб. Для сравнения: современные смартфоны и планшеты класса high - end , такие как Samsung Galaxy Note 3 , несут на борту не более 3 Гб ОЗУ.

Samsung подчеркивает , что увеличение объема оперативной памяти позволит улучшить отклик мобильных устройств на действия пользователей , реализовать новые функции управления , поддержку дисплеев ультравысокой разрешения и прочее.

Скорее всего , первые гаджеты , оборудованы 4 Гб ОЗУ , появятся в 2014 - том году . Не исключено , что такие устройства будут демонстрироваться на выставке электроники CES 2014 , которая пройдет с 7 по 10 января в Лас - Вегасе (Невада , США ) .