LPDDR4 DRAM: пам’ять нового покоління для портативних пристроїв

Компанія Samsung оголосила про розробку перших на ринку 8- гігабітних чипів пам’яті Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4), які являють собою еволюційний розвиток пам’яті LPDDR Mobile DRAM з невеликим енергоспоживанням. Нові вироби призначені для використання в різних портативних пристроях, зокрема у високопродуктивних смартфонах і планшетних комп’ютерах.

Samsung підкреслює, що 8-гігабітні чипи LPDDR4 забезпечують найвищі в галузі показники щільності зберігання інформації, енергетичної ефективності та швидкості передачі даних. Так, в порівнянні з найбільш швидкодіючими на сьогодні рішеннями LPDDR3 і DDR3 пропускна здатність підросла на 50%. У той же час при напрузі живлення в 1,1 В витрата енергії зменшилася на 40%, що означає збільшений час автономної роботи гаджетів від акумуляторної батареї.

Чіпи LPDDR4 виготовляються за технологією «20 – нанометрового класу». На ділі це означає виробничі норми від 20 до 30 нанометрів. Мікросхеми використовують інтерфейс LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic); заявлена ​​швидкість передачі інформації досягає 3 200 Мбіт/сек на вивід, що вдвічі більше, ніж у пам’яті попереднього покоління.

Об’єднуючи чотири 8-гігабітних чипа LPDDR4, можна створювати модулі оперативної пам’яті ємністю 4 Гб. Для порівняння: сучасні смартфони та планшети класу high-end, такі як Samsung Galaxy Note 3, несуть на борту не більше 3 Гб ОЗУ.

Samsung підкреслює, що збільшення обсягу оперативної пам’яті дозволить поліпшити відгук мобільних пристроїв на дії користувачів, реалізувати нові функції управління, підтримку дисплеїв ультрависокої дозволу та інше.

Швидше всього, перші гаджети, обладнані 4 Гб ОЗУ, з’являться в 2014-тому році. Не виключено, що такі пристрої будуть демонструватися на виставці електроніки CES 2014, яка пройде з 7 по 10 січня в Лас-Вегасі (Невада, США).